[发明专利]薄膜半导体装置和该薄膜半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200710154784.3 | 申请日： | 2007-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101150057A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 町田晓夫;藤野敏夫;河野正洋 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/22;H01L21/336;H01L29/786;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云;马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种薄膜半导体装置及其制造方法，在该制造方法中，在存在n型或p型杂质的情况下以能量束点照射半导体薄膜，以形成浅扩散层，在该浅扩散层中，所述杂质仅在半导体薄膜的表面层中扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜半导体装置的制造方法，其中在存在n型或p型杂质的情况下以能量束点照射半导体薄膜，以形成浅扩散层，在所述浅扩散层中所述杂质仅在所述半导体薄膜的表面层中扩散。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社，未经索尼株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710154784.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：非水可再充电电池用负极活性材料及其非水可再充电电池
- 下一篇：半导体发光元件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
