[发明专利]超声波清洗单晶硅片方法及其装置无效
| 申请号： | 200710157175.3 | 申请日： | 2007-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101179007A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 汪贵发;楼春兰;郑辉;汪新平 | 申请（专利权）人： | 万向硅峰电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B08B3/12 |
| 代理公司： | 杭州裕阳专利事务所 | 代理人： | 应圣义 |
| 地址： | 324300*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种清洗单晶硅片方法及其装置，方法是将被洗研磨硅片水平状放置在清洗槽底部上方栅栏状的石英棒框架上，在确保清洗槽内具有去离子水高度并不断流动的条件下，利用设在清洗槽底部的超声波振子进行清洗，超声波频率为40KHz，每5分钟将研磨硅片翻一个面，连续超洗至被超洗的研磨硅片表面没有黑色污染物冒出止。装置中搁置单晶硅片框架的底壁为栅栏状的石英棒，整个框架由支撑脚支撑在清洗槽内。本发明改竖超洗水平超洗后，解决了因硅片距离超声波源不等、污染物易堆积在硅片表面下部而造成局部难以清洗干净的问题，以及消除了用聚四氟材料制成的承载硅片的软体花篮会吸附和阻挡超声波源的传递，造成硅片表面局部区域清洗不干净的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 超声波 清洗 单晶硅 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种清洗单晶硅片方法，其特征是：将被洗研磨硅片水平状放置在清洗槽底部上方栅栏状的石英棒框架上，在确保清洗槽内具有去离子水高度并不断流动的条件下，利用设在清洗槽底部的超声波振子进行清洗，超声波频率为40KHz，每5分钟将研磨硅片翻一个面，连续超洗至被超洗的研磨硅片表面没有黑色污染物冒出止。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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