[发明专利]深背景高陡度荧光滤光片的制造工艺无效
| 申请号： | 200710158392.4 | 申请日： | 2007-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101441288A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 赵帅锋;曹轶;温东颖;张艳姝;吴增辉;任少鹏 | 申请（专利权）人： | 沈阳仪表科学研究院 |
| 主分类号： | G02B5/20 | 分类号： | G02B5/20;C03C17/00 |
| 代理公司： | 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郭元艺 |
| 地址： | 110001辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属光学滤光片领域，尤其涉及一种深背景高陡度荧光滤光片的制造方法，其以低荧光效应玻璃为镀膜基片，运用离子辅助沉积法进行镀膜；在膜系处理中，其隔离陡度OD0.3到OD5的波长间隔小于10nm，半带宽为15nm～40nm。本发明采用标准的7至9腔带通膜系或单侧陡度极高的非对称型带通膜系。本发明在膜系处理中，其隔离陡度OD0.3到OD5的波长间隔为小于或等于9nm。本发明在荧光滤光片设计制造技术中，采用优化设计的膜系，隔离陡度能够达到OD0.3到OD5波长间隔小于10nm；采用平衡深度衰减测试技术，滤光片的测试背景深度可以达到OD7-8；改善薄膜散射，可以有效提高镀制薄膜的背景与陡度。 | ||
| 搜索关键词： | 背景 陡度 荧光 滤光 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1、深背景高陡度荧光滤光片的制造方法，其特征在于：以低荧光效应玻璃为镀膜基片，运用离子辅助沉积法进行镀膜；在膜系处理中，其隔离陡度OD0.3到OD5的波长间隔小于10nm，半带宽为15nm～40nm。
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