[发明专利]一种利用驻波共振耦合电能的磁控放电方法无效
| 申请号： | 200710159083.9 | 申请日： | 2007-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101205602A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 牟宗信;赵华玉;张鹏云;贾莉;郝胜智 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 | 代理人： | 侯明远 |
| 地址： | 116024辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开发表了一种利用驻波共振耦合电能的磁控放电方法。其特征是在永磁体磁极上安置铁磁性的极靴改变阴极表面的磁场分布，在构成交叉场的磁场中磁场感应强度因在应在50mT－300mT的范围之内，电压的范围是在220－3000V之间，平行电极的方向上磁场和电场正交的交叉场放电形成等离子体静电驻波共振机制耦合电源能量，通过使用频率范围为5Hz－100KHz的高功率脉冲开关电源供电或者直接使用0－3000V的可调直流电源为放电系统提供电能。本发明的有益效果是系统具有结构简单、放电效率高的优点，应用于溅射镀膜时，能够提高薄膜沉积过程中的等离子体离化率，从而达到增强薄膜和基体的结合强度、保证沉积工艺的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 驻波 共振 耦合 电能 放电 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用驻波共振耦合电能的磁控放电方法，其特征在于：整个放电系统是在永磁体磁极上安置铁磁性的极靴改变阴极表面的磁场分布，在构成交叉场的磁场中磁场感应强度应在50mT-300mT的范围之内，电压的范围是在220-3000V之间，平行电极的方向上磁场和电场正交的交叉场放电形成等离子体静电驻波共振机制耦合电源能量，通过使用频率范围为5Hz-100KHz的高功率脉冲开关电源供电或者直接使用0-3000V的可调直流电源为放电系统提供电能。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学，未经大连理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710159083.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
