[发明专利]等离子增强化学气象沉积设备的控制方法有效
| 申请号： | 200710159306.1 | 申请日： | 2007-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101469418A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 于海斌;王宏;林跃;徐皑冬;周建辉;康凯;刘明哲;胡河春 | 申请（专利权）人： | 沈阳中科博微自动化技术有限公司;中国科学院沈阳自动化研究所 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52;C23C16/513 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110016辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于控制系统技术，具体地说是一种等离子增强化学气象沉积设备的控制方法。它包括设备初始化控制、晶圆加工流程控制、设备异常报警控制，其中：设备初始化控制步骤为启动设备电源，打开报警监控，并发送传片腔和反应腔的初始化指令；晶圆加工流程控制步骤为导入工艺配方，使用批或层配方进行加工初始化、晶圆加工和加工结束控制；设备异常报警控制实现对设备异常和故障的监控，通过异常预处理机制和报警应答处理机制，对设备报警进行分步处理。采用本发明可实现对化学气象沉积的非常精确的工艺控制，能够满足半导体器件制造过程中的工艺要求。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 增强 化学 气象 沉积 设备 控制 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种等离子增强化学气象沉积设备的控制方法，其特征在于：包括设备初始化控制、晶圆加工流程控制、设备异常报警控制，其中：设备初始化控制步骤为启动设备电源，打开报警监控，并发送传片腔(LL)和反应腔(RC)的初始化指令；晶圆加工流程控制步骤为导入工艺配方，使用批或层配方进行加工初始化、晶圆加工和加工结束控制；设备异常报警控制实现对设备异常和故障的监控，通过异常预处理机制和报警应答处理机制，对设备报警进行分步处理。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
