[发明专利]一种生长ZnO单晶、微晶薄膜及其p型掺杂的方法无效
| 申请号： | 200710159316.5 | 申请日： | 2007-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101275271A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 张贺秋;付强;胡礼中;骆英民;杜国同 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/16;H01L21/363 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 | 代理人： | 侯明远 |
| 地址： | 116024辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料与器件技术领域，涉及一种闭管化学气相传输法生长ZnO单晶、微晶薄膜及其p型掺杂的方法。其特征是，在一端封闭的石英管内，放置高纯ZnO粉和清洗过的所需衬底，所放位置由源区、生长区温度及控温炉的温度梯度决定，然后将石英管接真空系统，真空度低于10－2Pa后用氢氧焰封闭，将完全封闭的石英管放入控温炉内升温加热，控制温度分布及生长时间进行ZnO单晶、微晶薄膜的生长，在生长源内或其他温区内放置掺杂源可以实现ZnO的p型掺杂。本发明的效果和益处是采用的闭管化学气相传输法具有工艺简单、设备成本低、生长速度快、无毒无污染等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 zno 薄膜 及其 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
1、一种生长ZnO单晶、微晶薄膜及其p型掺杂的方法，其特征是，在一端封闭的石英管内，放置纯度99％以上ZnO粉和清洗过的生长衬底；将石英管接真空系统，真空度低于10-2Pa后用氢氧焰封闭开口的一端；将完全封闭的石英管升温加热，ZnO源区温度控制在1000-1100℃；将衬底温度控制在400-800℃，进行ZnO单晶、微晶薄膜的生长；生长晶体的尺寸生长时间控制在0.5-24小时，放置掺杂源实现ZnO的p型掺杂。
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