[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

摘要

本发明涉及一种具有改进的电学特性的薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该制造方法使用了一种掩模，该掩模包括漏极掩模图案、源极掩模图案和光调节图案。漏极掩模图案阻挡形成漏电极的光。源极掩模图案阻挡形成源电极的光，并和漏极掩模图案相对，漏极和源极掩模图案之间的距离不大于曝光装置的分辨率。光调节图案形成于源极掩模图案的每个端部和漏极掩模图案之间，以阻挡进入源极和漏极掩模图案之间的间隔的至少一些光。

主权项

1.一种薄膜晶体管基板，包括：基体板；栅极线，形成于所述基体板上并与栅电极电连接；栅极绝缘层，形成于所述基体板上以覆盖所述栅极线和栅电极；有源图案，与所述栅电极相对应地形成于所述栅极绝缘层上；数据线，沿与所述栅极线不同的方向延伸，并与交叠于所述有源图案的源电极电连接，漏电极与所述源电极相对，所述漏电极与所述有源图案交叠，除了所述源电极和所述漏电极之间的间隔以外，所述有源图案具有与所述数据线和所述漏电极基本相同的轮廓，其中，所述源电极以大约3.5μm的距离与所述漏电极相间隔。