[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200710160099.1 | 申请日： | 2007-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101207008A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 盛一正成;藤田雅人 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;谷惠敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体器件的制造方法中，在半导体衬底上形成多个结构，和在衬底的整个表面上方形成涂覆膜以覆盖该多个结构。形成光抗蚀剂层，以在该多个结构中目标结构的上方具有开口部分，和通过使用光抗蚀剂层作为掩模同时保持衬底处于覆盖有涂覆膜的状态，蚀刻开口侧的涂覆膜以暴露出一部分目标结构。而且，蚀刻作为目标结构的至少一部分的目标部分同时留下涂覆膜，并且去除光抗蚀剂层和涂覆膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成多个结构；在半导体衬底整个表面上形成涂覆膜，以覆盖所述多个结构；形成光抗蚀剂层以在所述多个结构的目标结构上方具有开口部分；通过使用光抗蚀剂层作为掩模同时保持衬底处于覆盖有涂覆膜的状态，来蚀刻开口侧上的涂覆膜，以暴露出目标结构的一部分；蚀刻作为目标结构至少一部分的目标部分，同时保留涂覆膜；和去除光抗蚀剂层和涂覆膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
