[发明专利]用以成形非晶硅膜的连续腔室无效
| 申请号： | 200710160120.8 | 申请日： | 2007-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101471228A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 黄明鸿;叶公旭 | 申请（专利权）人： | 东捷科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/205;H01L31/18;C23C16/54 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用以成形非晶硅膜的连续腔室，包含有：多数腔室，是线性排列且相连接而使内部空间相连通，每相邻的二该腔室之间设有一活动门，而可由该活动门的开启/关闭来使相邻的二该腔室相通/隔离；该多数腔室中，是定义位于头端的腔室为入料室，位于尾端的腔室为出料室，且位于该入料室与该出料室之间的腔室定义出至少一p层成形室、至少一i层成形室、以及至少一n层成形室；该入料室的入口以及该出料室的出口均具有一活动门。由此可达到连续成形且提高生产速度的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 成形 非晶硅膜 连续 | ||
【主权项】：
1. 一种用以成形非晶硅膜的连续腔室，其特征在于，包含有：多数腔室，线性排列且相连接而使内部空间相连通，每相邻的二该腔室之间设有一活动门，而可由该活动门的开启/关闭来使相邻的二该腔室相通/隔离；该多数腔室中，是定义位于头端的腔室为入料室，位于尾端的腔室为出料室，且位于该入料室与该出料室之间的腔室定义出至少一p层成形室、至少一i层成形室、以及至少一n层成形室；该入料室的入口以及该出料室的出口均具有一活动门。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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