[发明专利]二次电池电极及其制造方法和二次电池有效
| 申请号： | 200710161085.1 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101212041A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 足立百惠;小西池勇;川濑贤一 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/02 | 分类号： | H01M4/02;H01M4/36;H01M4/66;H01M4/04;H01M10/40 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种二次电池电极，包括：活性物质层，被构造成设置在集电体上并且通过堆叠多层由活性物质构成的活性物质亚层而获得。其孔直径沿着该活性物质层的厚度方向为3nm到300nm的孔沿着活性物质亚层之间的边界被形成，并且在装配二次电池时这些孔的至少一部分被电解质和/或由该电解质还原产生的产物所填充。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 电池 电极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二次电池电极，包括：活性物质层，设置在集电体上并且通过堆叠多个由活性物质构成的活性物质亚层而获得，其中沿着所述活性物质层厚度方向的孔直径为3nm到300nm的孔沿着所述活性物质亚层之间的边界被形成，以及所述孔的至少一部分在装配二次电池时被电解质和/或所述电解质还原产生的产物所填充。
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