[发明专利]图像传感器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710161231.0 申请日: 2007-09-25
公开(公告)号: CN101295726A 公开(公告)日: 2008-10-29
发明(设计)人: 金成均 申请(专利权)人: 东部高科股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L23/522;H01L21/822;H01L21/762;H01L21/768
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 郑小军
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供了一种图像传感器及其制造方法。图像传感器包括半导体衬底、金属线层、第一导电型导电层、第一像素隔离层、本征层以及第二导电型导电层。半导体衬底包括电路区域。金属线层包括多个金属线和层间绝缘层,形成在半导体衬底上。具有图案的第一导电层形成在金属线上,该图案由像素隔离层彼此隔开。第一像素隔离层形成在第一导电型导电层的隔离图案之间。本征层形成在第一导电层和第一像素隔离层上。第二导电型导电层形成在本征层上。
搜索关键词: 图像传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种图像传感器,包括:半导体衬底,包括电路区域;金属线层,形成在所述半导体衬底上并且包括多个金属线和层间绝缘层;第一导电层,包括彼此隔开的图案,形成在所述多个金属线上;第一像素隔离层,设置在所述第一导电层的图案之间;本征层,形成在所述金属线层上;第二导电层,形成在所述本征层上;以及第二像素隔离层,设置在所述第二导电层上,且在对应所述第一像素隔离层的位置处。
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