[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200710161231.0 | 申请日: | 2007-09-25 |
公开(公告)号: | CN101295726A | 公开(公告)日: | 2008-10-29 |
发明(设计)人: | 金成均 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/522;H01L21/822;H01L21/762;H01L21/768 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑小军 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了一种图像传感器及其制造方法。图像传感器包括半导体衬底、金属线层、第一导电型导电层、第一像素隔离层、本征层以及第二导电型导电层。半导体衬底包括电路区域。金属线层包括多个金属线和层间绝缘层,形成在半导体衬底上。具有图案的第一导电层形成在金属线上,该图案由像素隔离层彼此隔开。第一像素隔离层形成在第一导电型导电层的隔离图案之间。本征层形成在第一导电层和第一像素隔离层上。第二导电型导电层形成在本征层上。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种图像传感器,包括:半导体衬底,包括电路区域;金属线层,形成在所述半导体衬底上并且包括多个金属线和层间绝缘层;第一导电层,包括彼此隔开的图案,形成在所述多个金属线上;第一像素隔离层,设置在所述第一导电层的图案之间;本征层,形成在所述金属线层上;第二导电层,形成在所述本征层上;以及第二像素隔离层,设置在所述第二导电层上,且在对应所述第一像素隔离层的位置处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的