[发明专利]相变化存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 200710161258.X | 申请日： | 2007-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101399314A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 林永发;王彦文 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 许向华;彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变化存储器及其制造方法。该相变化存储器包含：电极；第一介电层，该第一介电层形成于该电极之上；开口，该开口贯穿该第一介电层，以露出该电极；加热源，该加热源形成于该开口内并与该电极接触，其中该加热源具有加热源延伸部，延伸出该开口；第二介电层，覆盖该加热源，露出该加热源延伸部的顶部；以及，相变化材料层，形成于该第二介电层之上，与该加热源延伸部的顶部直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种相变化存储器的制造方法，包含：形成具有开口的第一介电层于电极之上；形成加热源于该开口内并与该电极接触，其中该加热源的上表面超出该第一介电层的上表面，构成具有第一剖面宽度的加热源延伸部；对该加热源进行蚀刻工艺，以使蚀刻后的该加热源延伸部具有第二剖面宽度，其中该第二剖面宽度小于该第一剖面宽度；形成第二介电层，覆盖该蚀刻后的加热源延伸部；平坦化该第二介电层，以露出该加热源延伸部；以及形成相变化材料层于该第二介电层之上，并与该加热源延伸部直接接触。
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