[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，在大电流用途的J－FET中，沿芯片的对角线并排配置两个动作区域，芯片尺寸的小型化或动作区域的扩大有限。将栅极区域的延伸方向设为沿芯片的一个边的方向，将两个动作区域沿芯片的第一对角线并列配置，将两个焊盘电极沿芯片的第二对角线配置。由此，能够有效地活用芯片上的面积，因此，若为相同的动作区域面积，则芯片尺寸实现小型化，若为相同的芯片尺寸，则动作区域的面积实现扩大。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：分别具有设于一导电型半导体衬底上的反向导电型杂质区域和设于该反向导电型杂质区域表面的条状的一导电型杂质区域的第一动作区域及第二动作区域；设于所述半导体衬底上，与所述第一动作区域及所述第二动作区域连接的第一焊盘电极及第二焊盘电极，所述第一动作区域及第二动作区域的各所述一导电型杂质区域都沿所述半导体衬底的第一边延伸，所述第一动作区域及第二动作区域沿所述半导体衬底的第一对角线配置，所述第一焊盘电极及所述第二焊盘电极沿所述半导体衬底的第二对角线配置。