[发明专利]电荷陷捕型非易失性存储装置及其编程方法有效
| 申请号： | 200710161273.4 | 申请日： | 2007-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101266837A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 崔殷硕;金世埈;朴景焕;刘泫升 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种对电荷陷捕型非易失性存储设备进行编程的方法，包含：施加编程脉冲至选择存储单元；施加去陷捕脉冲至该选择存储单元；及施加编程确认脉冲至该存储单元。该电荷陷捕型非易失性存储设备包含：含有电荷陷捕存储单元的存储单元阵列；及高压产生器，用以供应去陷捕脉冲至电荷陷捕存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 陷捕型非易失性 存储 装置 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对电荷陷捕型非易失性存储设备进行编程的方法，包含：施加编程脉冲至选择存储单元；施加去陷捕脉冲至该选择存储单元；及施加编程确认脉冲至该存储单元。
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