[发明专利]用于减小MOSFET器件中的浮体效应的方法和结构有效
| 申请号： | 200710161395.3 | 申请日： | 2007-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101183683A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;梁擎擎 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管(FET)器件包括：体衬底，在所述体衬底之上形成的栅极绝缘层，在与所述体衬底相关联的有源器件区域中形成的源极和漏极区域，每个所述源极和漏极区域相对于所述有源器件区域的体区域限定了p/n结，以及在限定在所述源极区域中的腔内形成的跨过所述源极区域的所述p/n结并进入到所述体区域中的导电插塞，其中所述导电插塞有助于所述体区域与所述源极区域之间的放电通路。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减小 mosfet 器件 中的 效应 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管(FET)器件，包括：体衬底；栅极绝缘层，其在所述体衬底之上形成；源极和漏极区域，其在与所述体衬底相关联的有源器件区域中形成，每个所述源极和漏极区域相对于所述有源器件区域的体区域限定了p/n结；以及导电插塞，在限定在所述源极区域中的腔内形成，跨过所述源极区域的p/n结并进入到所述体区域中；其中所述导电插塞有助于所述体区域与所述源极区域之间的放电通路。
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