[发明专利]具有可控电阻率的耐等离子体腐蚀陶瓷无效
| 申请号： | 200710161551.6 | 申请日： | 2007-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101357846A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 珍妮弗·Y·孙;肯尼思·S·柯林斯;任关·段;森·撒奇;托马斯·格雷夫斯;晓明·何;杰·袁 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/50 | 分类号： | C04B35/50;C04B35/48 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了在采用腐蚀/侵蚀性等离子体的半导体处理条件下抵抗腐蚀/侵蚀的特种陶瓷材料。腐蚀性等离子体可为含卤等离子体。对该特种陶瓷材料已经改性以提供抑制等离子体电弧放电可能的可控电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 可控 电阻率 等离子体 腐蚀 陶瓷 | ||
【主权项】：
1、一种包含陶瓷的制品，其能抵抗用于半导体处理中的含卤等离子体的侵蚀并在从约350℃至室温范围内的温度下具有在约10-7至10-15Ω·cm范围内的电阻率，所述制品具有包含至少一种含氧化钇固溶体的表面，以及其中包含氧化钇的至少一种固溶体还包含选自氧化锆、氧化铪、氧化钪、氧化铌、氧化钐、氧化镱、氧化铒、氧化铈及其组合的一种或多种氧化物。
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