[发明专利]一种磁阻式随机存取存储器及相关方法无效
| 申请号： | 200710161791.6 | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101154437A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 赵佑荣;辛允承 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种磁阻式随机存取存储器(RAM)，可以包括：多个可变电阻器件；多条读位线，其被电连接到各自的可变电阻器件；多条写位线，其与读位线交错。所述磁阻式RAM可以被配置为：当将第一数据写到第一可变电阻器件时，通过与该第一可变电阻器件相邻的第一写位线施加第一写电流；以及，通过与第二可变电阻器件相邻的第二写位线施加第一抑制电流，第二可变电阻器件与第一写位线相邻、并且在第一写位线与第二写位线之间，并且第一写电流与第一抑制电流同时地、并且以相同方向流动。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁阻 随机存取存储器 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻式随机存取存储器RAM，其包含：多个可变电阻器件；多条读位线，其被电连接到各自的可变电阻器件；以及多条写位线，其与所述读位线交错，其中所述磁阻式RAM被配置为：当将第一数据写到第一可变电阻器件时，通过与所述第一可变电阻器件相邻的第一写位线施加第一写电流，以及通过与第二可变电阻器件相邻的第二写位线施加第一抑制电流，所述第二可变电阻器件与所述第一写位线相邻、并且在所述第一写位线与所述第二写位线之间，并且所述第一写电流与所述第一抑制电流以相同方向流动。
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