[发明专利]碳化硅晶体生长的方法和装置无效
| 申请号： | 200710161950.2 | 申请日： | 2000-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN101220504A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | O·C·E·科迪那;M·J·帕斯雷 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B25/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 龙传红 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种所需的多型高质量碳化硅芯棒可控的、长期的并可重复的生长的方法和装置，其采用涂有一簿层金属碳化物的石墨坩锅，并且碳化物从下列这组材料中选取：钽、铪、铌、钛、锆、钨和钒的碳化物。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶体生长 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种控制和促进高质量SiC单晶体在有籽晶SiC晶体生长系统中生长的方法，该方法包括：引入并维持碳源气体和选自硅烷、氯硅烷和三氯甲基硅烷的硅源气体的气流至反应区域，同时加热硅源气体和碳源气体至2200-2400℃之间的温度；使硅源气体与碳源气体在反应区域反应形成含碳和硅的气化物质；在反应区域将籽晶的温度升高至2150-2250℃之间的温度；在SiC单晶体的生长能够在籽晶上发生的温度和压力的条件下，引入并维持含碳和硅的气化物质的气流至SiC籽晶上；通过将硅源气体引入到一个SiC晶体生长系统从而基本上防止硅源气体除了与碳源气体反应外还与周围物质反应，该系统包括其上涂有选自钽、铪、铌、钛、锆、钨和钒的碳化物以及钽、铪、铌、钛、锆、钨和钒的氮化物以及其混合物的耐高温金属化合物的石墨。
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