[发明专利]降低接触电阻的接触窗的制造方法无效
| 申请号： | 200710161972.9 | 申请日： | 2007-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101399221A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 陈正坤;简俊弘;吴至宁;廖玉梅;王伟民;陈泳卿;谢荣源;吴欣雄 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种降低接触电阻的接触窗的制造方法。首先，提供其上已依序形成有保护层及介电层的基底。之后，进行干式蚀刻工艺，以移除部分介电层，而形成暴露部分保护层的开口。接着，进行湿式清洗工艺。然后，进行干式清洗工艺，以移除位于开口底部的保护层。继之，在开口中形成导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 接触 电阻 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种降低接触电阻的接触窗的制造方法，包括：提供基底，该基底上已依序形成有保护层及介电层；进行干式蚀刻工艺，以移除部分该介电层，而形成暴露部分该保护层的开口；进行湿式清洗工艺；进行干式清洗工艺，以移除位于该开口底部的该保护层；以及在该开口中形成导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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