[发明专利]制作快闪存储器的方法

摘要

本发明提供一种制作快闪存储器的方法，首先提供表面包含掩模层的基底，然后在基底表面形成多个浅沟槽，再于基底上形成第一氧化层以填入浅沟槽中，接着移除高于掩模层表面的部分第一氧化层，然后在掩模层和第一氧化层上形成第二氧化层，其中第二氧化层与第一氧化层具有不相同的蚀刻率。移除高于掩模层表面的第二氧化层，使第一与第二氧化层在各该浅沟槽中分别形成绝缘浅沟槽结构。移除掩模层，使相邻绝缘浅沟槽结构之间具有凹陷区域，最后在凹陷区域内填入导电层，以形成浮置栅极。

主权项

1、一种制作快闪存储器的方法，包含：提供基底，其表面包含掩模层；移除部分该掩模层以及该基底以形成多个浅沟槽；在该基底上形成第一氧化层，填入这些浅沟槽中；移除高于该掩模层表面的部分该第一氧化层；在该第一氧化层以及该掩模层上形成第二氧化层，且该第二氧化层与该第一氧化层具有不相同的蚀刻率；移除高于该掩模层表面的部分该第二氧化层，且该第一与该第二氧化层在各该浅沟槽中形成绝缘浅沟槽结构；移除该掩模层，使相邻的这些绝缘浅沟槽结构之间分别具有凹陷区域；以及在这些凹陷区域内填入第一导电层，以在各该凹陷区域内形成浮置栅极。