[发明专利]用于一半导体集成电路的导电结构及其成形方法无效
| 申请号： | 200710162042.5 | 申请日： | 2007-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101409269A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 齐中邦 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈 亮 |
| 地址： | 台湾省新竹县新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于一半导体集成电路的导电结构及其成形方法，该半导体集成电路包含一衬垫以及一保护层，局部覆盖该衬垫，以界定出一开口区域。该导电结构可通过该开口区域，与该衬垫呈电性连接。该导电结构包含一第一导体层、一第二导体层以及一底层，该底层形成于该第一导体层以及该衬垫之间。该第一导体层的横向尺寸大于该第二导体层的横向尺寸，以使该导电结构可符合缩减的脚距规格，同时又可保护该衬垫，以避免被蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 一半 导体 集成电路 导电 结构 及其 成形 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于一半导体集成电路的导电结构，其中该半导体集成电路包含一衬垫及一保护层，局部覆盖该衬垫，以界定出具有一第一横向尺寸的一开口区域，该导电结构可通过该开口区域，与该衬垫呈电性连接；该导电结构包含：一第一导体层，具有一第二横向尺寸，至少局部形成于该开口区域内；以及一第二导体层，具有一第三横向尺寸，形成于该第一导体层上，与该第一导体层呈电性连接；其中该第二横向尺寸基本上不小于该第一横向尺寸，该第三横向尺寸基本上小于该第二横向尺寸。
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