[发明专利]图像传感器的制造方法无效
| 申请号： | 200710162192.6 | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101207076A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 黄俊 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/71;H01L27/146 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种图像传感器的制造方法，包括下列步骤：在滤色镜层上形成光致抗蚀剂层；对所述光致抗蚀剂层进行曝光，以形成从所述光致抗蚀剂层的上表面起具有预定深度的图案；热处理所述光致抗蚀剂层以形成微透镜前体；以及蚀刻所述微透镜前体以形成微透镜。根据本发明的图像传感器的制造方法，能够制造无间隙的微透镜，从而提高图像传感器的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器的制造方法，包括下列步骤：在滤色镜层上形成光致抗蚀剂层；对所述光致抗蚀剂层进行曝光，以在所述光致抗蚀剂层中形成具有预定深度的图案；加热所述光致抗蚀剂层以形成微透镜前体；以及蚀刻所述微透镜前体以形成微透镜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
