[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710162193.0 | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101211799A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 韩载元;全东基 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法，可包括以下步骤：在半导体衬底上形成绝缘层；在该绝缘层和该半导体衬底中形成具有第一深度的通孔；在上面形成金属层，从而在该通孔中形成穿通电极；以及通过抛光该半导体衬底的下表面暴露该穿通电极。本发明能够稳定地形成穿通电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括以下步骤：形成具有第一深度的通孔，该通孔进入半导体衬底中并穿过该半导体衬底上的绝缘层，该绝缘层中具有与该半导体衬底上的有源结构电接触的接触件；在该绝缘层和该接触件上以及该通孔中形成金属层；以及在用液氮冷却该半导体衬底的同时，通过抛光该半导体衬底的下表面在该半导体衬底的下表面暴露出穿通电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
