[发明专利]用于高电压场效应晶体管的栅蚀刻工艺

摘要

在一个实施例中，一种方法包括通过掩蔽层的第一和第二开口以基本上各向同性的方式蚀刻第一和第二介电区域以形成第一和第二沟槽。该第一和第二介电区域置于半导体材料的平台的相侧，该平台具有分别邻近该第一和第二介电区域的第一和第二侧壁。该第一和第二沟槽内的第一和第二介电区域随后以基本上各向同性的方式被蚀刻以露出该第一和第二侧壁。栅极氧化物形成于该平台的第一和第二侧壁上。应该强调，提供该摘要的目的仅仅是为了满足要求提供摘要以使得研究人员或其他读者能够快速确定该技术公开的主题的规则。

主权项

1.一种方法，包括：使用包括第一和第二开口的掩蔽层掩蔽半导体基板，该第一和第二开口分别置于位于半导体材料平台的相对侧的第一和第二介电区域上，该平台具有分别毗邻该第一和第二介电区域的第一和第二侧壁，该掩蔽层具有在该第一和第二开口之间的覆盖该平台的部分，该部分延伸超过该第一和第二侧壁以分别覆盖该第一和第二介电区域的第一和第二侧壁部分；通过该相应的第一和第二开口各向异性蚀刻该第一和第二介电区域以形成第一和第二沟槽；除去该第一和第二介电区域的该第一和第二侧壁部分；以及在该平台的该第一和第二侧壁上形成栅极氧化物。