[发明专利]具有二极管隔离元件的相变化存储单元

摘要

本发明涉及存储器技术领域，公开了一种存储单元、存储单元阵列及存储单元阵列的制造方法。本发明提供的存储单元实施例包括一第二掺杂区位于一第一掺杂区之上，并在第一掺杂区与第二掺杂区之间定义一pn结。一第一电极位于第二掺杂区之上。一绝缘构件位于第一电极与第二电极之间，此绝缘构件在第一电极与第二电极之间具有一厚度。一存储材料导桥横跨此绝缘构件，此导桥具有一底表面并以该底表面接触至第一电极与第二电极，并且在第一电极与第二电极之间、横跨绝缘构件处定义一电极间路径，此电极间路径的路径长度由此绝缘构件之厚度所定义，其中此存储材料具有至少二种固态相。

主权项

1、一种存储装置，其特征在于，该存储装置包括：一第一掺杂区，该第一掺杂区具有一第一导电型；一第二掺杂区，该第二掺杂区具有一第二导电型，该第二掺杂区位于该第一掺杂区之上、并且在该第一掺杂区与第二掺杂区之间定义一pn结；一第一电极位于该第二掺杂区之上；一第二电极；一绝缘构件位于该第一电极与该第二电极之间，该绝缘构件在该第一与第二电极之间具有一厚度；以及一存储材料导桥，该存储材料导桥横跨该绝缘构件，该导桥具有一底表面并以该底表面接触该第一电极与第二电极，并且在该第一电极与第二电极之间、横跨该绝缘构件处定义一电极间路径，该电极间路径具有由该绝缘构件的厚度所定义的一路径长度，其中该存储材料具有二种固态相。