[发明专利]半导体器件的金属线及其制造方法无效
| 申请号： | 200710162652.5 | 申请日： | 2007-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101211890A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 金承显 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 夏凯;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的金属线及其制造方法。在一个实施例中，所述金属线包括第一层间介质层图案，其形成在下互连结构上，并具有暴露下互连结构的下互连的通孔；第一阻挡图案，其有选择地覆盖下互连和通孔的侧壁；第二层间介质层图案，其在第一层间介质层图案上，并具有暴露通孔的沟槽；第二阻挡图案，其覆盖沟槽的内壁和第一阻挡图案；种晶图案，其形成在第二阻挡图案上；以及铜线，形成在种晶图案上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 金属线 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的金属线，包括：第一层间介质层图案，其形成在下互连上，并具有暴露所述下互连的通孔；第一阻挡图案，其有选择地设置在所述通孔的一部分上；第二层间介质层图案，其在所述第一层间介质层图案上，并具有在所述通孔上方的沟槽；第二阻挡图案，其在所述沟槽和通孔中，所述第二阻挡图案覆盖所述第一阻挡图案；种晶图案，其形成在所述第二阻挡图案上；以及铜线，其形成在所述种晶图案上。
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