[发明专利]电荷陷阱存储器装置无效
| 申请号： | 200710163042.7 | 申请日： | 2007-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101159292A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 申尚旻;薛光洙;朴祥珍;成政宪;崔相武 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/51;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;谭昌驰 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种可包括形成于基底上的隧道绝缘层的电荷陷阱存储器装置。电荷陷阱层可形成于隧道绝缘层上，其中，电荷陷阱层是掺杂有一种或多种过渡金属的较高k介电绝缘层。隧道绝缘层可与电荷陷阱层中的金属相对不发生反应。隧道绝缘层还可减少或防止电荷陷阱层中的金属扩散到基底。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 陷阱 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种电荷陷阱存储器装置，包括：在基底上的隧道绝缘层；以及在隧道绝缘层上的电荷陷阱层，其中，电荷陷阱层是掺杂一种或多种过渡金属的较高k介电绝缘层，其中，隧道绝缘层不与电荷陷阱层中的一种或多种过渡金属反应，或者阻止电荷陷阱层中的所述一种或多种过渡金属扩散到基底。
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