[发明专利]传感光电二极管上方具有曲面微镜的图像传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 200710163496.4 | 申请日： | 2007-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101188208A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 文森特·韦内齐亚;泰新吉 | 申请（专利权）人： | 全视科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/71 | 分类号： | H01L21/71;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在CMOS图像传感器(CIS)工艺中在光电二极管有源区域(收集区域)上方集成曲面微镜。所述曲面微镜将已经穿过所述收集区域的光反射回到所述光电二极管中。所述曲面微镜最佳实施在背侧照明装置(BSI)中。 | ||
| 搜索关键词： | 传感 光电二极管 上方 具有 曲面 图像传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包括：制作图像传感器直到但不包含第一金属化层；在金属前介电层上制作微透镜；在所述微透镜和金属前介电层上沉积反射材料金属层；用光致抗蚀剂覆盖所述金属层；对所述光致抗蚀剂进行图案化以从除所述微透镜的表面以外的所有区域处去除所述光致抗蚀剂；蚀刻掉暴露的金属层；去除剩余的光致抗蚀剂；以及用介电材料层覆盖所述微镜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全视科技有限公司，未经全视科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710163496.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高强复合装饰板材
- 下一篇：一种文档管理方法、系统以及相关设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
