[发明专利]抗等离子体层的低温气浮沉积有效
| 申请号： | 200710163843.3 | 申请日： | 2007-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101168842A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 珍妮弗·Y·孙;埃尔米拉·赖亚博瓦;塞恩·撒奇;熹·朱;西姆仁·L·卡茨 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C24/08 | 分类号： | C23C24/08;B05D1/12;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种在半导体腔室部件/零件上抗等离子体层的低温气浮沉积方法。在一个实施方式中，用于低温气浮沉积的方法包括在气浮发生器中形成细颗粒的气浮，将来自发生器的所述气浮朝向衬底表面分配至处理腔室中，维持所述衬底温度在约0摄氏度和50摄氏度之间，以及在所述衬底表面上沉积来自所述气浮中的材料的层。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 低温 浮沉 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体腔室部件的低温气浮沉积的方法，包括：在气浮发生器中形成细颗粒的气浮；将来自所述发生器的所述气浮朝向衬底表面分配至处理腔室中；维持所述衬底温度在约0摄氏度和50摄氏度之间；以及在所述衬底表面上将来自所述气浮中的材料沉积为层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司，未经应用材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710163843.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：执行重新定位的无线电网络控制器和传输网络控制方法
- 下一篇：电视调谐器
- 同类专利
- 专利分类
