[发明专利]使用提拉法制造半导体单晶的方法以及使用该方法制造的单晶锭和晶片有效
| 申请号： | 200710164263.6 | 申请日： | 2007-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101225541A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 洪宁皓;李祥准;郑盛午;李洪雨 | 申请（专利权）人： | 斯尔瑞恩公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种使用提拉(CZ)法制造半导体单晶的方法，在该方法中，将晶种浸没在加入到坩埚中的半导体原料和掺杂剂的熔体中，晶种被边旋转边慢慢向上提拉以生长半导体单晶。这里，基于磁场的垂直分量为0的ZGP(零高斯平面)，具有不同的上部和下部磁场强度的尖形(cusp－type)不对称磁场这样施加于坩埚，即理论上在晶体长度方向上计算的电阻率分布在晶体长度方向上被扩大。因此，在靠近固－液界面的扩散边界层厚度被增加，以增加掺杂剂的有效偏析系数，从而在晶体的长度方向上扩大电阻率的分布，增加单晶的最佳长度，并提高生产力。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 法制 半导体 方法 以及 制造 单晶锭 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种使用提拉(CZ)法制造半导体单晶的方法，其中，将晶种浸没到容纳在坩埚中的半导体原料和掺杂剂的熔体中，然后将所述晶种边旋转边慢慢向上提拉以生长半导体单晶，其中向所述坩埚施加基于磁场的垂直分量为0的ZGP(零高斯平面)的具有上部和下部磁场强度互不相同的尖形不对称磁场，使在晶体长度方向上理论计算的电阻率分布在晶体的长度方向上扩大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯尔瑞恩公司，未经斯尔瑞恩公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710164263.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具导风罩的散热组合
- 下一篇：可移动的生态环保木制轻体房屋
