[发明专利]非易失性存储装置中的多级单元回拷编程方法无效
| 申请号： | 200710164394.4 | 申请日： | 2007-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101174463A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 成镇溶;朴成济 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了非易失性存储装置中的一种多级单元回拷编程方法。该方法包括读取源页面的LSB数据，将所读取的LSB数据存储在页面缓冲器的第二寄存器中，将存储在第二寄存器中的数据发送到耦合到数据输入电路的第一寄存器，将所发送的数据存储在第一寄存器中，通过数据输入电路修正存储在第一寄存器中的数据，将所修正的数据发送到第二寄存器，并将所发送的数据存储在第二寄存器中，根据存储在第二寄存器中的数据将对应的数据LSB编程到目标页面。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 中的 多级 单元 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储装置中的多级单元回拷编程方法，包括：读取源页面的LSB数据，并将所读取的LSB数据存储到页面缓冲器中的第二寄存器中；将存储在所述第二寄存器中的数据发送到耦合到数据输入电路的第一寄存器，并将所发送的数据存储在所述第一寄存器中；通过所述数据输入电路修正存储在所述第一寄存器中的数据；将所修正的数据发送到所述第二寄存器，并将所发送的数据存储在所述第二寄存器中；以及根据存储在所述第二寄存器中的数据将对应的数据LSB编程到目标页面。
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