[发明专利]活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法无效

专利信息
申请号: 200710164825.7 申请日: 2007-12-25
公开(公告)号: CN101210318A 公开(公告)日: 2008-07-02
发明(设计)人: 杜平凡;席珍强;王龙成;徐敏;汪新颜;姚剑 申请(专利权)人: 浙江理工大学
主分类号: C23C16/517 分类号: C23C16/517;C23C16/02;F02F5/00;F16J9/26
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 代理人: 林怀禹
地址: 310018浙江省杭州市江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法。先对活塞环进行电解抛光和超声波清洗处理;再将清洗后的活塞环放入射频等离子体增强化学气相沉积设备中,系统抽真空至5×10-3Pa,以硅烷和氨气为反应气源,在硅烷流量15~45sccm、硅烷和氨气流量比1/2~1/4、沉积温度300~500℃、射频功率90~150W的条件下,沉积10~30min停止,在活塞环的上表面和侧面得到氮化硅膜层;自然冷却后取出。所得氮化硅膜层活塞环的表面硬度可达900-1400HV,明显高于普通镀铬产品800HV的硬度。膜层良好的耐蚀耐磨性能和自润滑特性,可有效提高活塞环的使用性能,改善工作稳定性,延长寿命。该方法克服了传统镀铬活塞环能耗大、污染严重、工艺复杂等弊端。
搜索关键词: 活塞环 表面 氮化 硅膜层 方法
【主权项】:
1.一种活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法,其特征在于:沉积前,对活塞环进行电解抛光和超声波清洗处理;前处理完成后,再将活塞环放入射频等离子体增强化学气相沉积设备的沉积室中,系统抽真空至5×10-3Pa,以硅烷和氨气为反应气源,在硅烷流量15~45sccm、硅烷和氨气流量比1∶2~1∶4、沉积温度300~500℃、射频功率90~150W的条件下,沉积10~30min停止,在活塞环的上表面和侧面均匀沉积一层氮化硅膜层;自然冷却后取出。
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