[发明专利]可更改的栅堆存储元件无效
| 申请号： | 200710165129.8 | 申请日： | 2007-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101170132A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 弗朗茨·科鲁普尔 | 申请（专利权）人： | 奇梦达股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;G11C16/04;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提供了一种用于存储信息的装置和方法，包括使用具有沟道、栅氧化层、栅电极和可更改的栅堆层的晶体管。通过导致可更改的栅堆层中基于非电荷存储的物理变化来改变晶体管的导通电阻，以存储信息。 | ||
| 搜索关键词： | 可更改 存储 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶体管，包括：源极、漏极和沟道；设置在所述沟道上方的栅氧化层；栅电极；以及可更改的栅堆层，设置在所述栅氧化层和所述栅电极之间，所述可更改的栅堆层包括电阻开关元件，所述电阻开关元件的电导率是可改变的以改变所述半导体晶体管的导通电阻。
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