[发明专利]多结太阳能电池及其形成方法和设备无效
申请号: | 200710165351.8 | 申请日: | 2007-10-26 |
公开(公告)号: | CN101226967A | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
发明(设计)人: | 崔寿永;蔡容基;盛殊然 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;H01L31/20 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明实施例一般地涉及太阳能电池及其形成方法和设备。更特别地,本发明实施例涉及薄膜多结太阳能电池及其形成方法和设备。该方法包括:形成第一p-i-n结,包括形成p型非晶硅层;在该p型非晶硅层上形成本征型非晶硅层;及在该本征型非晶硅层上形成n型微晶硅层;以及在该第一p-i-n结上形成第二p-i-n结,包括形成p型微晶硅层;在该p型微晶硅层上形成本征型微晶硅层;及在该本征型微晶硅层上形成n型非晶硅层。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 形成 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种在衬底上形成薄膜多结太阳能电池的方法,包括:形成第一p-i-n结,包括:形成p型非晶硅层;在该p型非晶硅层上形成本征型非晶硅层;及在该本征型非晶硅层上形成n型微晶硅层;以及在该第一p-i-n结上形成第二p-i-n结,包括:形成p型微晶硅层;在该p型微晶硅层上形成本征型微晶硅层;及在该本征型微晶硅层上形成n型非晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的