[发明专利]多结太阳能电池及其形成方法和设备无效

专利信息
申请号: 200710165351.8 申请日: 2007-10-26
公开(公告)号: CN101226967A 公开(公告)日: 2008-07-23
发明(设计)人: 崔寿永;蔡容基;盛殊然 申请(专利权)人: 应用材料股份有限公司
主分类号: H01L31/075 分类号: H01L31/075;H01L31/20
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 徐金国
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明实施例一般地涉及太阳能电池及其形成方法和设备。更特别地,本发明实施例涉及薄膜多结太阳能电池及其形成方法和设备。该方法包括:形成第一p-i-n结,包括形成p型非晶硅层;在该p型非晶硅层上形成本征型非晶硅层;及在该本征型非晶硅层上形成n型微晶硅层;以及在该第一p-i-n结上形成第二p-i-n结,包括形成p型微晶硅层;在该p型微晶硅层上形成本征型微晶硅层;及在该本征型微晶硅层上形成n型非晶硅层。
搜索关键词: 太阳能电池 及其 形成 方法 设备
【主权项】:
1.一种在衬底上形成薄膜多结太阳能电池的方法,包括:形成第一p-i-n结,包括:形成p型非晶硅层;在该p型非晶硅层上形成本征型非晶硅层;及在该本征型非晶硅层上形成n型微晶硅层;以及在该第一p-i-n结上形成第二p-i-n结,包括:形成p型微晶硅层;在该p型微晶硅层上形成本征型微晶硅层;及在该本征型微晶硅层上形成n型非晶硅层。
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