[发明专利]用于光掩模刻蚀的终点检测无效
申请号: | 200710165355.6 | 申请日: | 2007-10-26 |
公开(公告)号: | CN101174082A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 迈克尔·格里伯根 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/36;G03F7/00;H01L21/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了用于光掩模刻蚀的终点检测的装置和方法。该装置提供具有衬底支撑构件的等离子体刻蚀腔室。该衬底支撑构件具有用于终点检测的在其中设置的至少两个光学部件。通过使用为在光掩模的不同位置处监控的不同的光测量技术而实现用于光掩模刻蚀的改进的工艺监控。 | ||
搜索关键词: | 用于 光掩模 刻蚀 终点 检测 | ||
【主权项】:
1.一种用于衬底刻蚀的装置,包括:等离子体刻蚀腔室;在所述腔室内并配置为保持光掩模版的衬底支撑构件,该衬底支撑构件具有设置在中心区域的第一窗口以及设置在外围区域的第二窗口,该中心区域和外围区域对应于所述掩模版的中心和外围区域;以及终点检测系统,其可通过所述第一窗口和第二窗口运动耦合至所述腔室。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司,未经应用材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710165355.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备