[发明专利]光电器件有效
| 申请号： | 200710165881.2 | 申请日： | 2001-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101154350A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 木村肇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09G3/32 | 分类号： | G09G3/32;H01L27/32;H01L51/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王小衡 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是在光电器件中用具有新结构的像素电路来实现高于常规结构像素的数值孔径。因此，要利用在某一时段内除第i行的栅极信号线(106)被选取时，一行的栅极信号线电位除第i行外都取恒定值。第(i－1)行的栅极信号线111也被用作由第i行的栅极信号线(106)控制的EL元件(103)的电流源线。这样，减少了引线数目，实现了高数值孔径。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 器件 | ||
【主权项】：
1.一种驱动半导体装置的方法，包括：选择第一栅极信号线，由此使开关TFT成为开态；经开关TFT将来自源极信号线的信号输入到EL驱动TFT的栅电极，由此使EL驱动TFT成为开态；以及经EL驱动TFT将来自第二栅极信号线的电流供给到EL元件。
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