[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，目的在于提供一种具有能够消除接触包覆膜的底层依赖性的结构的半导体装置。半导体装置为在活性区域(100)具有栅极绝缘膜(102)、栅电极(103)、侧壁(105)、源漏极区域(106)及硅化物区域(107)。还包括利用原子层沉积法以覆盖栅电极(103)、侧壁(105)及硅化物区域(107)的方式在活性区域(100)上形成的底层绝缘膜(108)、及利用等离子体化学气相沉积法在底层绝缘膜(108)上形成的、由在栅极长度方向上对沟道区域施加拉伸应力的应力绝缘膜构成的接触包覆膜(109)。

主权项

1.一种半导体装置，具有形成在半导体衬底的第一活性区域上的第一金属绝缘体半导体晶体管，其特征在于：上述第一金属绝缘体半导体晶体管包括：第一栅极绝缘膜，形成在上述第一活性区域上，第一栅电极，形成在上述第一栅极绝缘膜上，第一侧壁绝缘膜，形成在上述第一栅电极的侧面，第一源漏极区域，形成在上述第一活性区域中的上述第一侧壁绝缘膜的外侧，硅化物区域，形成在上述第一源漏极区域的上层，第一底层绝缘膜，是利用原子层沉积法在上述第一活性区域上以覆盖上述第一栅电极、上述第一侧壁绝缘膜及上述硅化物区域的方式形成的，以及第一接触包覆膜，是利用等离子体化学气相沉积法在上述第一底层绝缘膜上形成的，且由在栅极长度方向上对沟道区域施加拉伸应力或者压缩应力的应力绝缘膜构成。