[发明专利]GaN单晶衬底和GaN单晶衬底的表面加工方法无效
| 申请号： | 200710165941.0 | 申请日： | 2007-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101174597A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 郑镇石;李基秀;金京俊;李柱宪;秦昌旭 | 申请（专利权）人： | 三星康宁株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/304;H01L21/66;H01L33/00;B24B1/00;B24B49/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐江华;王珍仙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化镓单晶衬底的表面加工方法，包括下列步骤：将置于支架台上的氮化镓原始衬底的顶面和底面平面化；将波长在370～800nm范围内的光线照射在所述被加工成平面的氮化镓原始衬底上；测量所述氮化镓原始衬底的透射率；并确认所述透射率是否在65～90％范围内。通过所述表面加工方法抛光其两面得到的氮化镓单晶衬底在用波长在370～800nm范围内的光线测量时具有65～90％的高透射率。并且，在所述氮化镓单晶衬底两面的损伤层的厚度比(DLa/DLb)在0.99～1.01的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | gan 衬底 表面 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过抛光衬底两面而制备的氮化镓单晶衬底，其中：当用波长在370～800nm范围内的光线测量所述衬底的透射率时，所述透射率为65～90％。
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