[发明专利]控制孔径不同开口的相对孔径偏差比的方法

摘要

一种控制孔径不同开口的相对孔径偏差比的方法。本方法为，以图案化光阻层为掩模，进行第一蚀刻步骤，以形成图案化含硅材料层，并于图案化光阻层及图案化含硅材料层的侧壁产生高分子膜。然后，以图案化光阻层、图案化含硅材料层及其侧壁的高分子膜为掩模，进行第二蚀刻步骤，以至少移除曝露出的蚀刻抵挡层，而形成图案化。之后，以图案化蚀刻抵挡层为蚀刻掩模，移除部分目标材料层，于目标材料层中形成第一、第二开口，且通过调整第一蚀刻步骤的蚀刻参数及/或第二蚀刻步骤的蚀刻参数，以得到预设的相对孔径偏差比。

主权项

1. 一种控制孔径不同开口的相对孔径偏差比的方法，其中孔径不同开口的工艺如下：于目标材料层上依序形成蚀刻抵挡层、含硅材料层与图案化光阻层，该图案化光阻层具有孔径不同的第一开口图案与第二开口图案；以及依序进行蚀刻该含硅材料层、该蚀刻抵挡层与该目标材料层的步骤，以于对应该第一、该第二开口图案的该目标材料层中分别形成第一开口与第二开口，其中该第一开口的孔径与该第一开口图案的孔径的差异为第一孔径差，该第二开口的孔径与该第二开口图案的孔径的差异为第二孔径差，而第二孔径差与第一孔径差之间的比值称为相对孔径偏差比，其中该第一开口图案的孔径大于该第二开口图案的孔径，该方法包括：以该图案化光阻层为掩模，进行第一蚀刻步骤，将该图案化光阻层的图案转移至该含硅材料层上，形成图案化含硅材料层，并于该图案化光阻层及该图案化含硅材料层的侧壁产生高分子膜；以该图案化光阻层、该图案化含硅材料层及其侧壁的该高分子膜为掩模，进行第二蚀刻步骤，以至少移除曝露出的该蚀刻抵挡层，而形成图案化蚀刻抵挡层；以该图案化蚀刻抵挡层为蚀刻掩模，移除部分该目标材料层，于该目标材料层中形成该第一、该第二开口；以及方法中通过调整该第一蚀刻步骤的蚀刻参数及/或该第二蚀刻步骤的蚀刻参数，以得到预设的相对孔径偏差比。