[发明专利]基板处理装置和基板处理方法无效
申请号: | 200710166807.2 | 申请日: | 2007-10-18 |
公开(公告)号: | CN101165854A | 公开(公告)日: | 2008-04-23 |
发明(设计)人: | 横内健一 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/30;H01L21/306;H01L21/67;G02F1/1333;H01J9/00;G11B5/84;G11B7/26;G03F1/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐恕 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种基板处理装置及方法,该装置包括:将基板保持为水平的基板保持单元;向基板主面供给处理液的处理液喷嘴;向基板主面供给惰性气体的气体喷嘴;使气体喷嘴沿主面移动的气体喷嘴移动单元;实施下述工序的控制单元:液膜形成工序,通过从处理液喷嘴供给处理液,在整个主面上形成处理液液膜;液膜除去区域形成工序,将惰性气体供给到形成液膜的主面,在不包含主面中心的区域形成除去了液膜的液膜除去区域;液膜除去区域移动工序,在液膜除去区域形成工序后,向主面供给惰性气体同时使气体喷嘴移动,由此使液膜除去区域移动,使中心配置在液膜除去区域内;基板干燥工序,在液膜除去区域移动工序后扩大液膜除去区域,从主面排除处理液并使基板干燥。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:基板保持单元,其将作为处理对象的基板保持为近似水平;处理液喷嘴,其将处理液供给到所述基板保持单元所保持的基板的主面上;气体喷嘴,其将惰性气体供给到所述基板保持单元所保持的基板的主面上;气体喷嘴移动单元,其使所述气体喷嘴沿着所述主面移动;控制单元,该控制单元实施下述工序:液膜形成工序,通过从所述处理液喷嘴向所述基板保持单元所保持的基板的主面供给处理液,在所述主面的整个区域上形成处理液的液膜;液膜除去区域形成工序,通过从所述气体喷嘴将惰性气体供给到形成有所述液膜的所述主面上,从而在不包含所述主面的中心的区域内,形成除去了所述液膜的液膜除去区域;液膜除去区域移动工序,在所述液膜除去区域形成工序后,通过一边从所述气体喷嘴向所述主面供给惰性气体,一边由所述气体喷嘴移动单元使所述气体喷嘴移动,由此使所述液膜除去区域移动,使所述中心配置在该液膜除去区域内;基板干燥工序,在所述液膜除去区域移动工序后,通过使所述液膜除去区域扩大,从而从所述主面将处理液排除而使基板干燥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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