[发明专利]具有精细接触孔的半导体器件的制造方法

摘要

示例性地公开了一种制造具有精细接触孔的半导体的方法。该方法包括在半导体衬底上形成限定有源区的隔离层。在具有隔离层的半导体衬底上形成层间电介质层。在所述层间电介质层上形成第一模塑图案。还形成第二模塑图案，其位于所述第一模塑图案之间并与其相间隔开。形成包围第一模塑图案和第二模塑图案的侧壁的掩模图案。通过去除第一模塑图案和第二模塑图案来形成开口。通过利用掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻层间电介质层，来形成接触孔。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成隔离层，所述隔离层限定所述半导体衬底内的有源区；在所述半导体衬底上形成层间电介质层；在所述层间电介质层上形成第一模塑图案；在所述层间电介质层上形成第二模塑图案，所述第二模塑图案定位于所述第一模塑图案之间，并与所述第一模塑图案间隔开；形成掩模图案，该掩模图案包围所述第一模塑图案的侧壁以及所述第二模塑图案的侧壁；去除所述第一模塑图案和所述第二模塑图案，以在所述掩模图案内形成开口；以及通过利用所述掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述层间电介质层，来形成接触孔。