[发明专利]半导体器件、半导体器件的布线和形成布线的方法有效
| 申请号： | 200710166889.0 | 申请日： | 2007-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101170091A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 葛原刚;小邑笃;坚田满孝;成濑孝好 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括衬底(2)、形成在衬底(2)中的元件(10、20、30)、形成在衬底(2)上的层间电介质膜(51、54、57、60)、布线层(52、55、58)和电极焊盘(62)。使布线层(52，55，58)形成为多层，并通过层间电介质膜(51、54、57、60)使其电连接到所述元件(10、20、30)。将电极焊盘(62)电耦合到布线层(52、55、58)的顶部布线层(58)。将顶部布线层(58)配置为兼作设置在电极焊盘(62)之下的电极层的顶部布线-电极层(58)。将顶部布线-电极层(58)的电极层设置在半导体元件(10、20、30)的正上方。使电极焊盘(62)和电极层形成为多层，以形成焊盘结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 布线 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底(2)；形成在所述半导体衬底(2)中的半导体元件(10、20、30)；设置在所述半导体衬底(2)上的层间电介质膜(51、54、57、60)；多个布线层(52、55、58)，使其形成为多层，并且通过所述层间电介质膜(51、54、57、60)将其电耦合到所述半导体元件(10、20、30)；以及电耦合到所述多个布线层(52、55、58)中的顶部布线层(58)的电极焊盘(62)，将所述焊盘(62)配置为与金属构件(70)键合，用于将所述半导体元件(10、20、30)电耦合到外部器件，其中将所述顶部布线层(58)配置为兼作设置在所述电极焊盘(62)之下的电极层的顶部布线-电极层(58)，其中利用具有第一杨氏模量值的第一材料形成所述顶部布线-电极层(58)，其中利用具有小于所述第一杨氏模量值的第二杨氏模量值的第二材料形成所述电极焊盘(62)；其中将所述顶部布线-电极层(58)的电极层设置在所述半导体元件(10、20、30)的正上方，其中使所述电极焊盘(62)和所述电极层形成为多层，以形成焊盘结构，并且其中所述层间电介质膜(51、54、57、60)包括绝缘膜(60)，所述绝缘膜(60)包围所述顶部布线-电极层(58)，以覆盖所述顶部布线-电极层(58)的侧壁。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社电装，未经株式会社电装许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710166889.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
