[发明专利]半导体发光元件及其制造方法、使用此的发光装置有效
| 申请号： | 200710166948.4 | 申请日： | 2003-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN101150166A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 楠濑健;坂本贵彦 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭晓东 |
| 地址： | 日本德岛*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化物半导体发光元件，在基板上具有由n型半导体层、活性层及p型半导体层层叠而成的叠层部，由该叠层部进行发光，其中，叠层部的侧面是包含n型半导体层的表面的倾斜面，在该n型半导体层的表面形成有n电极。根据这样的元件结构，能够提高发光效率与光的射出效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 使用 装置 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光元件，其是在n型氮化物半导体层与p型氮化物半导体层之间具有由氮化物半导体构成的发光层而构成的，其特征在于：形成包含上述p型氮化物半导体层、上述发光层和上述n型氮化物半导体层的台锥形状的叠层体，在该叠层体的相互对向的底面和比该底面小的上底面上分别设置有电极，该层叠体的侧面由绝缘部件覆盖，光由该侧面反射而从上述底面侧射出。
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