[发明专利]主动矩阵型液晶显示装置

摘要

本发明在FFS方式的主动矩阵型液晶显示装置中，使用覆盖层(over layer)构造来形成保持电容，且通过保持电容的最适化，以达成提升显示质量的目的。液晶显示装置具有通过FFS绝缘膜而在平坦化绝缘膜的上层配置像素电极与共同电极的覆盖层构造。通过FFS绝缘膜而在像素电极与共同电极的重叠部分形成保持电容。保持电容需要根据保持时间与像素TFT的漏电流等所决定的适当大小，并且必须适当小于信号线电容。当计算满足该两条件的FFS绝缘膜的膜厚时，例如在像素密度P＝100时，为430nm以上、2400nm以下，在像素密度P＝400时，为90nm以上、140nm以下。

主权项

1.一种主动矩阵型液晶显示装置，其特征在于，具有：像素晶体管；配线层，连接于前述像素晶体管；第一绝缘层，设于前述像素晶体管及前述配线层的上层；下部电极层，设于前述第一绝缘层的上层，且被分配给共用电极层或像素电极层的任一者；第二绝缘层，设于前述下部电极层的上层；以及上部电极层，设于前述第二绝缘层的上层，且被分配给前述共用电极层或前述像素电极层的任一者；其中，令显示像素为由多个次像素形成的近似正方形形状，令前述显示像素在纵方向及横方向的配置间距分别为每25.381mm有P个，令前述像素晶体管的通道宽度为W，令前述像素晶体管的每单位通道宽度的导通电阻为ρON，令前述像素晶体管的栅极线与漏极线同时导通的时间为τON，令前述第二绝缘层的相对介电系数为ε，令真空介电系数为ε0，令修正参数为k，则前述第二绝缘层的膜厚t为：t＜{(ε0ε/W)×[(0.025381/P)2/6]}/(100×10-9)及t＞{(ε0ε/W)×[(0.025381/P)2/6]×k×ρON}/τON并且将电压施加于前述上部电极层与下部电极层之间而驱动液晶分子。