[发明专利]高压元件与高压元件的顶层的制造方法无效
| 申请号： | 200710167141.2 | 申请日： | 2007-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101419983A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 黄志仁;许世明 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高压元件，其包括第一导电型的基底、栅极、第二导电型的阱区、第二导电型的源极区与漏极区、多个导电层以及第一导电型的顶层。栅极设置于基底上，阱区设置于栅极一侧的基底中。源极区设置于栅极另一侧的基底中，漏极区设置于阱区的基底中。多个导电层设置于栅极与漏极区之间的基底上。顶层设置于导电层下方的阱区的基底中，其中，接近栅极的这部分顶层的厚度大于远离栅极的这部分顶层的厚度。本发明还涉及一种高压元件的顶层的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 元件 顶层 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高压元件，包括：第一导电型的基底；栅极，设置于该基底上；第二导电型的阱区，设置于该栅极一侧的该基底中；第二导电型的源极区，设置于该栅极另一侧的该基底中；第二导电型的漏极区，设置于该阱区的该基底中；多个导电层，设置于该栅极与该漏极区之间的该基底上；第一导电型的顶层，设置于这些导电层下方的该阱区的该基底中，其中，接近该栅极的部分该顶层的厚度大于远离该栅极的部分该顶层的厚度。
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