[发明专利]分裂式栅极存储单元

摘要

本发明提供一种分裂式栅极存储单元，包括沿第一方向形成于半导体衬底上的多个绝缘区域，在两个相邻的绝缘区域之间定义出有源区域，该有源区域具有形成于该半导体衬底中的一对漏极与源极区域。一对浮动栅极设置于该有源区域上，且自对准于所述绝缘区域，其中该对浮动栅极的顶表面与所述绝缘区域的顶表面高度相等。一对控制栅极自对准于该浮动栅极，且沿第二方向设置于该浮动栅极上。源极线沿该第二方向设置于该对控制栅极之间。一对选择栅极沿该第二方向设置于与该对控制栅极相对的外侧侧壁上。本发明可使得浮动栅极自对准于隔离区域或者说绝缘区域以及源极线，从而有助于存储元件的进一步微缩化和集成化。

主权项

1. 一种分裂式栅极存储单元，包括：多个绝缘区域，沿第一方向形成于半导体衬底上，其中在两个相邻的绝缘区域之间定义出有源区域，该有源区域具有形成于该半导体衬底中的一对漏极与一源极区域；一对浮动栅极，设置于该有源区域上，且自对准于所述绝缘区域，其中该对浮动栅极的顶表面与所述绝缘区域的顶表面高度相等；一对控制栅极，自对准于该浮动栅极，且沿第二方向设置于该浮动栅极上；源极线，沿该第二方向设置于该对控制栅极之间；以及一对选择栅极，沿该第二方向设置于与该对控制栅极相对的外侧侧壁上。