[发明专利]互补金属氧化物半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200710167205.9 | 申请日： | 2007-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN101188248A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS结构及其制造方法。该CMOS结构包括位于使用半导体基板内的第一有源区的第一器件，其中第一有源区是平坦的并具有第一晶体学取向。该CMOS结构还包括位于使用半导体基板内的第二有源区的第二器件，其中第二有源区是非平的且具有不存在第一晶体学取向的第二晶体学取向。第一晶体学取向和第二晶体学取向典型地对于电荷载流子迁移率，为第一器件和第二器件提供了性能优化。非平的第二有源区也具有单一厚度。该CMOS结构可以使用晶体学选择蚀刻剂形成非平的第二有源区来制作。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：半导体基板，包括含有至少一个V形沟槽的有源区；以及栅电极，非平行地横跨至少一个V形沟槽。
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