[发明专利]将弱单元用作读取标识符的非易失性半导体存储器器件无效
| 申请号： | 200710167207.8 | 申请日： | 2007-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN101174459A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 金厚成;韩义奎 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 非易失性半导体存储器被配置为监视读取干扰(例如，由于软编程)的发作并且执行保护其中数据的操作。非易失性半导体存储器具有包括正常存储器单元和标志存储器单元的存储器单元阵列。标志存储器单元被配置为在其数据保留方面比正常存储器单元更易受电压力影响。存储器监视存储在标志存储器单元中的数据，以便监视正常存储器单元的数据保留特性。 | ||
| 搜索关键词： | 单元 用作 读取 标识符 非易失性 半导体 存储器 器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有存储器单元阵列的非易失性半导体存储器，该存储器单元阵列包括：正常存储器单元；以及标志存储器单元，其被配置为在其数据保留方面比正常存储器单元更易受电压力影响，并被用于监视正常存储器单元的数据保留特性。
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