[发明专利]半导体激光装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710167220.3 | 申请日： | 2007-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN101252254A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 藤本康弘;高山彻;木户口勋 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/40;H01S5/22;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可实现不存在由于杂质扩散所导致的漏电流产生及高输出动作时可靠性降低的、包括多个谐振器的半导体激光装置。半导体激光装置包括彼此间留有间隔地形成在半导体衬底(10)上的第一谐振器(12)及第二谐振器(13)。该第一谐振器具有第一缓冲层(21)和包含第一活性层(23)的第一半导体层(20)，该第二谐振器具有第二缓冲层(31)和包含第二活性层(33)的第二半导体层(30)。在上述第一半导体层及上述第二半导体层的端面附近的区域分别形成了端面窗部(20a、30a)。第一缓冲层(21)的禁带宽度比第一活性层(23)的禁带宽度大，第二缓冲层(31)的禁带宽度比第二活性层(33)的禁带宽度大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光装置，包括彼此间留有间隔地形成在半导体衬底上的第一谐振器及第二谐振器，其特征在于：上述第一谐振器具有第一缓冲层和第一半导体层，该第一半导体层包含形成在该第一缓冲层上的第一下部包覆层、第一活性层及第一上部包覆层且还形成有用来注入载流子的条状结构，上述第二谐振器具有第二缓冲层和第二半导体层，该第二半导体层包含形成在该第二缓冲层上的第二下部包覆层、第二活性层及第二上部包覆层且还形成有用来注入载流子的条状结构，在上述第一半导体层及第二半导体层的端面附近的区域分别形成有杂质扩散后被无序化了的端面窗部，上述第一缓冲层的禁带宽度比上述第一活性层的禁带宽度大，上述第二缓冲层的禁带宽度比上述第二活性层的禁带宽度大。
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