[发明专利]互补式金氧半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710167311.7 | 申请日： | 2007-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN101312158A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 余振华;姚亮吉;林正堂 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/092;H01L29/78;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种互补式金氧半导体元件及其制造方法。一种具有功函数值约等于或小于4.3或4.4eV的P型金属材料层形成于高介电系数介电层之上，部分的N型金属层添加例如是氧、氮、碳、硅或其他物后，转换成P型金属材料，成为一具有高功函数值值约等于或大于4.7或4.8eV的P型金属材料。利用这项技术可使一碳化钽薄膜转换成碳氮化钽、碳氮化钽、或碳氮氧化钽。包括原始N型金属部分和已转换的P型金属部份的材料层利用单一图刻操作以同时在未转换的N型金属区域和已转换的P型金属区域形成半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 式金氧 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体元件的形成方法，其特征在于包括以下步骤：形成一N型金属层于一基板的一表面上，该N型金属层适用作为一N型金属半导体元件上的一栅极电极；转换部分该N型金属层成P型金属层部分，P型金属层适用作为一P型金属半导体元件上的栅极电极；以及形成N型金属半导体元件和P型金属半导体元件，这些N型金属半导体元件使用该N型金属层的未转换区，该P型金属半导体元件使用该P型金属部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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